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        兩會提案:推動中國功率半導體產業科學發展

        發布日期:2020-12-30 點擊次數:2830
        何為功率半導體?
        功率半導體是電子裝置電能轉換與電路控制的核心,本質上,是通過利用半導體的單向導電性實現電源開關和電力轉換的功能,來實現變頻、變相、變壓、逆變、整流、增幅、開關等,被廣泛應用于汽車、通信、消費電子和工業領域。
                                                           

        功率半導體主要分為功率器件、功率IC。其中功率器件主要包括二極管、晶體管、晶閘管三大類別,其中晶體管是分立器件中市場份額最大的種類。常見晶體管主要有BJT、IGBT和MOSFET。MOSFET和IGBT逐漸成為主流,而多個IGBT可以集成為IPM模塊,用于

        大電流和大電壓的環境。功率IC是由功率半導體與驅動電路、電源管理芯片等集成而來的模塊,主要應用在小電流和低電壓的環境。

        功率半導體的應用領域廣泛,市場規模持續增長

        根據Yole數據,2017年全球功率半導體市場規模為327億美元,預計到2022年達到426億美元,復合增長率為5.43%。其中,工業、汽車、無線通訊和消費電子是功率半導體的前四大終端市場。根據中商產業研究院的數據,2017年工業應用市場占全球功率半導體市

        場的34%,汽車領域占比為23%,消費電子占比為20%,無線通訊占比為23%。隨著對節能減排的需求日益迫切,功率半導體的應用領域從傳統的工業領域和4C領域逐步進入新能源、智能電網、軌道交通、變頻家電等市場。

                                                                                    

                                                                                    

        受益于工業、電網、新能源汽車和消費電子領域新興應用不斷出現,功率半導體器件市場規模不斷增長。根據Yole數據,2017年全球功率半導體器件市場規模為144.01億美元,預計到2022年功率半導體器件市場規模將達到174.88億美元,復合增長率為3.96%。

                                                                                             

         功率半導體將成為“中國芯”的最好突破口

        民進中央在兩會提案中表示,從當前全球功率半導體市場看,一方面,傳統的硅材料功率半導體仍然有巨大的發展空間,有研究顯示,全球市場的碳化硅及氮化鎵等新材料功率半導體芯片市場應用量是約3億多美金,硅材料功率半導體芯片市場應用量超過200億美

        金。國際市場的IGBT芯片主流是硅材料5代、6代及7代產品,國際功率半導體行業認為,硅材料功率半導體材料已經有30多年的大規模市場應用驗證,穩定可靠,價格低,尚有技術發展空間等特點,在未來至少7至8年左右仍是市場應用主流。

        另一方面,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體材料正蓬勃發展,由于我國碳化硅、氮化鎵功率半導體器件研發起步晚,在技術上仍有很大差距,但是在國家多項科研計劃的扶持下,這方面已經大幅縮小了與國際的技術差距,并取得了不少成

        就。

        隨著工業、汽車、無線通訊和消費電子等領域新應用的不斷涌現以及節能減排需求日益迫切,我國功率半導體有龐大的市場需求,容易催生新產業新技術,在國家政策利好下,功率半導體將成為“中國芯”的最好突破口。

        民進中央在兩會提出建議:

        1、進一步完善功率半導體產業發展政策,大力扶持硅材料功率半導體芯片技術攻關,立項支持硅材料功率半導體材料、芯片、器件等設計和制造工藝流程技術。

        經過多年布局和發展,我國在硅材料IGBT芯片技術方面有一定的技術基礎和沉淀,可以將集中突破硅材料6代功率芯片產品設計及批量制造工藝技術作為發展重點,采取先易后難、解決“有無”問題的發展策略,盡快實現功率半導體芯片自主供給。

        2、加大新材料科技攻關

        大數據傳輸、云計算、AI技術、物聯網,包括下一步的能源傳輸,對網絡傳輸速度及容量提出了越來越高的要求,大功率芯片的市場需求非常大。從產業發展趨勢看,碳化硅、氮化鎵等新材料應用于功率半導體優勢明顯,是下一代功率半導體的核心技術方向。目

        前碳化硅、氮化鎵市場處于起步階段,國內廠商與海外傳統巨頭之間差距較小,國內企業有望在本土市場應用中實現彎道超車。

        首先要把功率半導體新材料研發列入國家計劃,全面部署,竭力搶占戰略制高點。其次引導企業積極滿足未來的應用需求,進行前瞻性布局。推動功率半導體龍頭企業著力攻克一批產業發展關鍵技術、應用技術難題,在國際競爭中搶占先機。最后要避免對新概念

        的過熱炒作。新材料從發現潛力到產業化,需要建立起高效的產學研體系,打造更加開放包容的投資環境。

        3、謹慎支持收購國外功率半導體企業

        通過收購很難實現完全學會和掌握國際先進的功率半導體芯片設計及制造工藝技術,同時海外工廠制造的產品仍然存在著無法出口到中國的危險。

                                                                                                                                  關于冠華偉業

        冠華偉業核心團隊專注元器件15年,總部坐落于深圳。主營:MOSFET,MCU,IGBT等器件。主要代理產品WINSOK(微碩)Cmsemicon(中微)。產品廣泛用于軍工、工業控制,新能源,醫療產品,5G,物聯網,智能家居、及各種消費類電子產品。依托原廠

        全球總代理的優勢,立足于中國市場。利用完善的優勢服務為客戶引進各類先進高科技電子元件,協助各廠家生產品質優良的產品并提供完善的服務。

                 冠華秉承著“態度 品質 共贏 共享”的企業價值,持續強化服務品質,以提供優質服務為目標,并與供應商攜手合作,共同開拓更大的市場版圖,共同為半導體的繁榮發展做出貢獻。

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