MOS管驅動電路需求

如今的MOS驅動，有幾個非常的要求：

1. 低壓運用
當應用5V開關電源，此刻假如采用傳統式的圖騰柱構造，因為三極管的be僅有0.7V上下的損耗，造成 具體最后載入gate上的電壓僅有4.3V，此刻，大家采用允差gate電壓4.5V的MOS管就存有一定的風險性。一樣的情況也出現在應用3V或是別的低壓開關電源的場所。

2. 寬電壓運用
鍵入電壓并沒有一個數值，它會由于時間或是其它要素而變化。這一變化造成 PWM電路給予給MOS管的驅動電壓是不穩定的。
為了更好地讓MOS管在高gate電壓下安全性，許多MOS管內嵌了穩壓管強制限定gate電壓的幅度值。在這樣的情形下，當帶來的驅動電壓超出穩壓管的電壓，就會造成很大的靜止功能損耗。
與此同時，假如簡易的用電阻分壓的基本原理減少gate電壓，就會發生鍵入電壓較為高的情況下，MOS管工作中優良，而鍵入電壓減少的情況下gate電壓不夠，造成通斷不足完全，進而提升功能損耗。

3. 雙電壓運用
在一些控制回路中，邏輯性一部分應用典型性的5V或3.3V數據電壓，而輸出功率一部分應用12V乃至更多的電壓。2個電壓選用共地方法聯接。
這就明確提出一個規定，必須運用一個電源電路，讓低壓側可以合理的操縱髙壓側的MOS管，與此同時髙壓側的MOS管也一樣會應對1和2提及的難題。
在這里三種情形下，圖騰柱構造不能滿足輸出要求，而許多現有的MOS驅動IC，好像都沒有包括gate電壓限定的構造。

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