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        MOS管失效的原因及預防

        發布日期:2021-08-28 點擊次數:2209

        MOS管失效的個主要原因

        電壓失效:即漏源間的BVdss電壓超過MOS管額定電壓,達到一定容量,造成MOS管失效。

        柵電壓故障:柵極遭受異常電壓尖峰,造成柵氧層故障。

        崩塌故障(電壓失效)

        雪崩破壞到底是什么?簡單地說,MOS管是由母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等與MOS管之間疊加而形成的故障模式。簡而言之,即MOS管漏源極的電壓超過了它規定的電壓值,并且達到了某一能量極限時所產生的常見故障。

         

        預防雪崩破壞的措施:

        ·適當降低用量。在這個行業里,通常會減少80%-95%。根據公司的保修條款及線路重點來選擇。

        ·反光電壓合理。

        ·RCD、TVS吸收電路設計合理。

        ·高電流接線應盡可能大,以減少寄生電感。

        ·選擇合適的門電阻Rg。

        ·按需增加RC阻尼或齊納二極管對大功率電源的吸收。

         

        柵電壓失效

        造成柵電壓異常高的主要原因有三個:生產、運輸和裝配過程中的靜電;設備和電路寄生參數在電力系統運行過程中產生高壓諧振;在高壓沖擊時,高壓通過Ggd傳輸到電網(雷擊測試時這種故障更為常見)。

         

        預防門極電壓故障的措施

        門極與源極之間的過電壓保護:當柵極與源極的阻抗過高時,柵極和源極之間電壓的突然變化通過電極間的電容耦合到柵極上,導致極高的UGS電壓調節過度,導致柵極調節過度。永久性的氧化破壞。假如UGS在正向瞬變電壓,設備也可能導致錯誤。在此基礎上,應適當降低柵極驅動電路的阻抗,并在柵極與源極之間連接一個阻尼電阻或20V穩定電壓。尤其要注意防止開門操作。

        排放管之間的過電壓保護:如果電路中有感應器,則當設備關閉時,泄漏電流(di/dt)的突然變化將導致泄漏電壓超調,遠高于電源電壓,從而造成設備損壞。保護措施應該包括齊納鉗、RC鉗或RC抑制電路。

         

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